Non-Vacuum Design of CuGaxIn1–xSe2 Films for Solar Energy Applications

Анотація
The study reports on a non-vacuum synthesis method for CuGaхIn1–хSe2 films for solar energy applications. The films are formed by pulverising chlorides of indium, gallium, and cuprum with selenious acid. To optimise the blend composition of films, it is proposed to age the obtained structure in a sodium chloride solution and to carry out additional selenization of the surface in a diffusion furnace. The resulting layers are investigated using SEM, EDX, XRD, and Raman methods. As determined, the film is a polycrystalline structure of chalcopyrite CuGa0.6In0.4Se2 with agglomerates of porous crystallites. Secondary phases are not detected. The proposed method does not require a vacuum, and it is simple and inexpensive that opens the prospect of using it on an industrial scale for the synthesis of CuхGaIn1–хSe2 metal films.
В роботі описано метод невакуумного синтезу плівок CuGaхIn1-хSe2 для сонячної енергетики. Плівки формуються шляхом розпилення хлоридів індію, галію та купруму з селеновою кислотою. Для оптимізації складу шихти плівок запропоновано витримувати отриману структуру в розчині хлориду натрію та проводити додаткову селенізацію поверхні в дифузійній печі. Одержані шари досліджено методами РЕМ, EDX, рентгенофазового аналізу та комбінаційного розсіювання світла. Встановлено, що плівка являє собою полікристалічну структуру халькопіриту CuGa0.6In0.4Se2 з агломератами пористих кристалітів. Вторинні фази не виявлені. Запропонований метод не потребує вакууму, є простим і недорогим, що відкриває перспективу його використання в промислових масштабах для синтезу металевих плівок CuхGaIn1-хSe2.
Опис
Ключові слова
pulverising, chalcopyrite, thin films, solar batteries, selenides, copper, розпилення, халькопірит, тонкі плівки, сонячні батареї, селеніди, мідь
Бібліографічний опис
Non-Vacuum Design of CuGaxIn1–xSe2 Films for Solar Energy Applications Metallofiz [Text] / S. Kovachov, K. Tikhovod, M. Kalenyk, I. Bohdanov, Yа. Sychikova // Noveishie Tekhnol. – 2023. – 45 (5). – P. 593–602.