Вивчення елементів нанотехнологій в курсі «Квантова механіка»
Ескіз недоступний
Дата
2017
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
Якщо електрон, помістити в обмежену область простору,то він може займати лише дискретні енергетичні рівні.Відмітимо, що в класичній системі енергія частинки, що знаходиться на дні потенціальної ями, дорівнює нулю, а для квантово-механічної системи мінімальна енергія частинки відмінна від нуля. Можна також показати, що й принцип невизначеності також приводить до висновку про відмінне від нуля значення мінімальної енергії електрона в потенціальній ямі.
Перешкоджання руху заряджених частинок в наноструктурі, що приводить до ненульового мінімального значення їх енергії і до дискретності енергій дозволених рівнів, називають квантовим обмеженням.
У твердих тілах квантове обмеження може бути реалізовано в трьох просторових напрямах. Далі можна показати, що число напрямків, в яких ефект квантового обмеження відсутній, використовується
в якості критерію для класифікації елементарних нанорозмірних структур за трьома групами: квантові плівки, квантові шнури і квантові точки.
Для студентів – майбутніх вчителів слід наголосити,що наноструктурні матеріали, що застосовуються в практичних цілях, складаються з декількох елементарних структур.
Consequently, if an electron is placed in a limited area of space, then it can occupy only discrete energy levels. We note that in the classical system the energy of a particle located on the bottom of a potential well is zero, and for a quantum mechanical system, the minimum energy of a particle is different from zero. It can also be shown that the uncertainty principle also leads to the conclusion that the minimum energy of an electron in a potential well is different from zero. Obstacles to the movement of charged particles in the nanostructure, which leads to a nonzero minimum value of their energy and to the discreteness of the energies of the permitted levels, are called quantum constraints. In solids, the quantum limit can be realized in three spatial directions. Next, we can show that the number of directions in which the effect of a quantum limit is absent is used as a criterion for the classification of elementary nanosized structures in three groups: quantum films, quantum cords, and quantum dots. For students-future teachers, it should be stressed that nanostructured materials used for practical purposes consist of several elementary structures.
Consequently, if an electron is placed in a limited area of space, then it can occupy only discrete energy levels. We note that in the classical system the energy of a particle located on the bottom of a potential well is zero, and for a quantum mechanical system, the minimum energy of a particle is different from zero. It can also be shown that the uncertainty principle also leads to the conclusion that the minimum energy of an electron in a potential well is different from zero. Obstacles to the movement of charged particles in the nanostructure, which leads to a nonzero minimum value of their energy and to the discreteness of the energies of the permitted levels, are called quantum constraints. In solids, the quantum limit can be realized in three spatial directions. Next, we can show that the number of directions in which the effect of a quantum limit is absent is used as a criterion for the classification of elementary nanosized structures in three groups: quantum films, quantum cords, and quantum dots. For students-future teachers, it should be stressed that nanostructured materials used for practical purposes consist of several elementary structures.
Опис
Ключові слова
квантова мехеніка, нанотехнології, квантові плівки, квантові шнури, квантові точки, quantum dots, quantum cords, quantum films, nanotechnology, quantum mechanics
Бібліографічний опис
Завражна, О. М. Вивчення елементів нанотехнологій в курсі «Квантова механіка» [Текст] / О. М. Завражна // Теорія і практика сучасної науки : матеріали ІІ Міжнародної науково-практичної конференції м. Київ, 15-16 червня 2017 року. – Київ : МЦНД, 2017. – Ч. ІІ. – С. 29–30.